Hynix najavio 4GB LPDDR3 RAM za pametne telefone

Hynix najavio 4GB LPDDR3 RAM za pametne telefone

464
0
PODELI

Samsung je relativno skoro najavio svoje LPDDR3 memorije izrađene u 20nm, ali SK Hynix tvrdi da može bolje! Umesto da se izjednači sa Samsungom, kome je tehnologija trenutno ograničena na 2GB, Hynix je objavio da njegovi 20nm čipovi kapaciteta 1GB mogu se nadovezati i tako zbirno pružiti čak 4GB RAM memorije u najjačim prenosnim uređajima.

 

Ova tehnologija pruža prednosti LPDDR3 memorija, uključujući veoma impresivnu brzinu prenosa podataka od 2,133Mbps (nasuprot 1,600Mbps koju poseduje LPDDR3 memorija ugrađena u Samsung GS4), tanje su i troše manje struje u standby modu, u poređenju sa LPDDR2.

 

Ostaje samo pitanje kada će ovaj tip memorije biti komercijalno dostupan. Hynix je u izjavi naveo da će do kraja godine ovi čipovi krenuti u masovnu proizvodnju i pronaći put do proizvođača mobilnih telefona.

 

Naravno, brzinom kojom se tehnologija razvija, predviđa se da će u toku 2014 godine čak i procesori srednje klase, poput Cortex-A12 teoretski moći da upotrebe više od 4GB RAM memorije, pa ovolika količina RAM-a i neće dugo predstavljati vrh ponude.

 

Izvor: Engadget

NEMA KOMENTARA

POSTAVI ODGOVOR